业界最快：SK 海力士开发具有 8Gbps 数据传输速率的服务器 DDR5 内存模块

元宇在线12 月 8 日消息，SK 海力士今日在其官网宣布，已成功开发出 DDR5 多通道合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界速度最快的服务器 DRAM 产品。这款产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，比目前DDR5产品的4.8Gbps提升了80%以上。

据官方介绍，MCRDIMM产品采用了一种新的方式来提升DDR5的传输速度。虽然人们普遍认为 DDR5 以单个 DRAM 芯片的速度运行，但 SK 海力士的工程师在开发产品时采用了不同的方法，提高了模块的速度，而不是单个 DRAM 芯片的速度。

SK海力士的技术团队基于英特尔MCR技术设计产品，利用安装在MCRDIMMs上的数据缓冲器（data buffers）同时运行两个内存列。

传统的 DRAM 模块一次只能向 CPU 传输 64 字节的数据，而在 MCRDIMM 模块中，两个内存列可以同时向 CPU 传输 128 字节的数据。每次向CPU传输数据量的增加，将数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

该产品的成功开发得益于与英特尔和瑞萨电子的合作。这三家公司在从开发到速度和性能验证的所有阶段都密切合作。

SK海力士DRAM产品企划副总裁Yoo Sung-soo认为，这款产品的成功开发取决于不同技术的结合。 Ryu Sung-soo表示：“SK海力士的DRAM模组设计能力融合了英特尔优秀的至强处理器和瑞萨电子的缓冲技术。为确保MCRDIMM稳定运行，模组内外的数据缓冲与处理器能够顺畅交互。”至关重要的。”

数据缓冲区负责传输来自中间模块的多个信号，服务器CPU负责接收和处理来自缓冲区的信号。

Yoo副总裁还表示，“业界最快的MCRDIMM的开发充分展示了SK海力士DDR5技术的又一次重大进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固我们在服务器DRAM市场的领导地位。”

英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特尔和SK海力士在内存创新、服务器高性能和可扩展DDR5领域处于领先地位，还有其他主要行业合作伙伴在同一个梯队。

“此次采用的技术源于英特尔与主要行业合作伙伴多年的联合研究，大大提高了英特尔至强处理器所能提供的带宽。我们期待将这项技术应用于未来的英特尔至强处理器，以支持行业的标准化和多-代际发展。”

瑞萨电子副总裁兼内存接口事业部负责人 Sameer Kuppahalli 表示，数据缓冲器从构思到商业化用了三年时间。 “我们非常自豪能够与 SK 海力士和英特尔合作，将这项技术转化为出色的产品。”

小编获悉，SK海力士预计，在高性能计算对内存带宽增加的需求驱动下，MCRDIMM市场将逐步打开，公司计划在未来量产该产品。