智寻创新宣布国内首款自主研发的中小容量19nm 2D NAND闪存芯片研制成功
2022-12-14 00:08:57
元宇在线12月13日消息，智寻创新今日宣布，其自主研发的国内首款中小容量19nm 2D NAND闪存芯片研发成功，预计将于明年初全面推向市场。
智寻创新表示，这是国内首款完全自主研发、采用先进技术的中小容量19nm 2D NAND闪存芯片。产品将涵盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，采用串行接口SPI和WSON封装。
据介绍，它可以满足消费级产品的可靠性要求，也可以满足工业和汽车法规等高可靠性应用场景对擦除次数和数据保留的要求。智寻创新数据显示，这款产品实现了芯片面积缩小40%、I/O速度提升25%、擦除周期提升70%。
小编了解到，官方信息显示，智寻创新成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，并在上海、深圳、香港等地设立了分支机构。目前，智寻创新处于A轮融资中。
