三星：2026年3nm晶圆代工市场规模将达242亿美元

元宇在线12月11日报道 三星电子晶圆代工厂晶圆代工部高级研究员朴炳宰本周四在“2022半导体EUV全球生态系统大会”上发表演讲。

他表示，到2026年，全球3nm工艺节点代工市场规模将达到242亿美元，比今年的12亿美元增长超过20倍。

目前，三星电子是唯一一家宣布成功量产3nm芯片的企业。随着三星电子、台积电、英特尔等半导体大厂开始导入EUV设备，且工艺技术不断发展，预计3nm工艺将成为关键竞争节点。

根据Gartner数据，截至今年年底，5nm和7nm制程在晶圆代工市场中所占份额最大，市场规模达369亿美元，未来其份额将逐渐被3nm取代。 “随着 14 纳米 FinFET 工艺的推出，三星电子已经上升到代工市场的第二位，”他说。

据说3nm节点需要新的器件结构来提升性能。率先实现3nm工艺量产的三星采用了MBCFET技术，采用了环绕栅极（GAA）晶体管结构，与FinFET相比，性能和功耗都有显着提升。

“就 FinFET 而言，性能随着引脚数的增加而增加，但功耗的增加超过了性能，”他说。 “另一方面，MBCFET 的效率要高得多，因为它们在相同水平上以类似的改进性能和功率运行。”

具体来说，在FinFET技术中，性能提升1.3倍，但功耗也会增加2.2倍。在MBCFET中，性能提升1.7倍时，功耗只会增加1.6倍，相对效率更高。