国星光电NS62m碳化硅功率模块上线：可应用于传统工控、储能逆变器、充电桩等
据元宇在线12月12日消息，国星光电研究院推出基于宽带隙半导体碳化硅技术的“NS62mSiC MOSFET功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变器、UPS、充电桩、轨道交通等电能转换领域。
面向储能逆变器市场，国星新品NS62m功率模块依托SiCMOSFET芯片的性能，提高了功率模块的电流密度和开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源元件的使用和散热。器件的尺寸最终达到了降低系统成本和提高系统效率的目的。
国星光电NS62m功率模块采用标准封装，半桥拓扑设计，内置NTC热敏电阻，可实现温度监控；采用62mm尺寸标准基板及接口，兼容业界各大主流产品，可快速更换； 150°C 的连续工作温度 (Tvjop) 和出色的温度循环能力使器件具有出色的可靠性。
NS62m功率模块用于半桥电路结构的逆变器。在实际应用中，一般将两个或三个NS62m功率模块并联组成单相全桥拓扑或三相桥式拓扑，将直流电转换为频率和幅值可调的交流电，实现逆变功能。 NS62m功率模块中基于SiC MOSFET的体二极管具有优异的开关特性和反向恢复性能，无需额外二极管器件即可满足大部分场景下的续流需求。
如图中橙色框图所示，每个框图代表一个NS62m电源模块。此图为两个NS62m功率模块并联组成单相全桥拓扑结构。
NS62m功率模块在工作时可以实现更高的开关频率和更低的开关损耗。同时，有助于提高转换器系统的效率，降低散热结构的成本。
实验数据显示，与市场同电流规格产品相比，NS62m功率模块的开启延迟时间减少了79纳秒；上升时间减少了 42 纳秒；关断延迟时间减少了 468 纳秒。导通损耗降低82%，关断损耗降低92%，整体开关损耗优异。
针对传统工控、储能逆变器、充电桩等应用领域的需求，国星光电NS62mSiCMOSFET模组系列有多种型号可供选择。公司依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线，可应对不同封装、不同规格的SiC功率模块的定制化开发需求，为客户提供优质的定制化产品服务。
